IBSD-1010双离子束溅射镀膜沉积系统

产品摘要：该系统为通用双离子束薄膜沉积系统，可用于溅射沉积各种金属、合金、Ⅲ-Ⅴ族化合物及半导体材料的单层薄膜、多层薄膜，也可将单质材料通过反应合成氧化物、氮化物等薄膜，薄膜材料致密性好，损伤低，被广泛应用于光学薄膜，压电传感器，红外等前沿领域。

核心参数

产品摘要：该系统为通用双离子束薄膜沉积系统，可用于溅射沉积各种金属、合金、Ⅲ-Ⅴ族化合物及半导体材料的单层薄膜、多层薄膜，也可将单质材料通过反应合成氧化物、氮化物等薄膜，薄膜材料致密性好，损伤低，被广泛应用于光学薄膜，压电传感器，红外等前沿领域。

核心参数

主源—聚焦束溅射离子源：离子能量：0～1000 eV；离子束流：0～130mA；

辅源—准直束离子源：离子能量：0～1000 eV；离子束流：0～100 mA。

有效束经：Фb≥100mm

衬底台：可装4英寸及以下样品，且自转速率0~20RPM可调。

靶台：装靶数：4靶（靶尺寸Ф100mm×δ3~5mm）自动换靶

高真空系统：前级泵＋分子泵

工艺气路：1-3路，量程0～20 sccm。

镀膜均匀性：4英寸≤±5%

全自动＋半自动控制；支持单工艺和多工艺组、操作记录、运行记录、故障诊断、报警等功能。

可选配：膜厚仪